文件名称：MEMS高g加速度传感器封装热应力的研究* (2010年)
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更新时间：2024-07-07 19:41:36
工程技术 论文
封装热应力是导致MEMS器件失效的主要原因之一，本文设计了一种MEMS高g加速度传感器，并仿真研究了传感器在封装过程中的热应力及影响其大小的因素。根据封装工艺，建立设计的高g加速度传感器封装的有限元模型，利用AN- SYS软件仿真传感器在不同的贴片工艺中受到的热应力及影响热应力的因素。结果显示，在封装中，与直接贴片到管壳底部相比，MEMS高g加速度传感器芯片底面键合高硼硅玻璃后再贴片到管壳底部时，封装热应力可从135 MPa降低到33 MPa；在贴片工艺中，基板的热膨胀系数和贴片胶的弹性模量、热膨胀系数及