文件名称：硼掺杂对(2,2)单壁碳纳米管电子结构影响研究 (2013年)
文件大小：685KB
文件格式：PDF
更新时间：2024-05-31 11:40:43
自然科学 论文
基于密度泛函理论的第一性原理,计算了不同B掺杂浓度的单壁碳纳米管(SWCNT)的几何结构、杂质的形成能、能带结构和态密度(DFT),研究了B掺杂对(2,2) SWCNT电子结构的影响.B杂质的引入使SWCNT的管径增大,杂质的形成能为负值,表明(2,2) SWCNT进行掺B的过程为放热反应,B原子以替位形式掺入碳纳米管中是可行的.掺杂B后,SWCNT的费米能级向价带迁移,使(2,2) SWCNT转变为 N型半导体.