单源化学气相沉积法制备In2O3纳米线 (2007年)

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文件名称：单源化学气相沉积法制备In2O3纳米线 (2007年)
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更新时间：2021-05-30 09:30:44
自然科学 论文 以乙酰丙酮合锢[In（acac）3]（acac=acetylacetonate）作为单源前驱体，Au为催化剂，采用化学气相沉积法，于较低温度（550℃）下成功制得了In2O3纳米线。用x射线粉末衍射（XRD）、扫描电镜（SEM）、透射电镜（TEM）和能量分散光谱（EDS）对In2O3纳米线进行了表征；制得的In2O3纳米线具有单晶结构，平均直径约为80nm，长度达十几微米，其生长服从气一液一固机理。光致发光研究发现，In2O3纳米线在483nm处有一个强的发射峰，这可归因于氧空位的存在。