单源化学气相沉积法制备In2O3纳米线 (2007年)

时间:2024-06-19 03:17:24
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文件名称:单源化学气相沉积法制备In2O3纳米线 (2007年)

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更新时间:2024-06-19 03:17:24

自然科学 论文

以乙酰丙酮合锢[In(acac)3](acac=acetylacetonate)作为单源前驱体,Au为催化剂,采用化学气相沉积法,于较低温度(550℃)下成功制得了In2O3纳米线。用x射线粉末衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、透射电镜(TEM)和能量分散光谱(EDS)对In2O3纳米线进行了表征;制得的In2O3纳米线具有单晶结构,平均直径约为80nm,长度达十几微米,其生长服从气一液一固机理。光致发光研究发现,In2O3纳米线在483nm处有一个强的发射峰,这可归因于氧空位的存在。


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