文件名称：ZnGeP2多晶合成工艺改进及其X射线衍射分析 (2013年)
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更新时间：2024-07-05 01:54:34
自然科学 论文
两温区气相输运合成ZnGeP2多晶，易发生化学计量比偏离，产生Ge、Zn3P2等杂相，在合成坩埚（石英安瓿）内壁凝聚一层ZnP2和P的沉积物．通过对合成设备、安瓿尺寸和工艺的改进，采用机械振荡炉体和竖直梯度降温相结合的新工艺，成功地合成出ZnGeP2多晶材料．合成的ZnGeP2多晶，经XRD分析测试，并采用Rietveld法进行全谱拟合精修、计算出各物相的相对含量．结果表明，改进工艺合成的ZnGeP2多晶是高纯单相材料，可用于单晶生长. 采用改进工艺合成的ZnGeP2多晶为原料，生长出完整性好的ZnGeP