Compton散射下介电系数对一维等离子体光子晶体色散的影响 (2012年)

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文件名称：Compton散射下介电系数对一维等离子体光子晶体色散的影响 (2012年)
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更新时间：2021-04-27 07:39:31
自然科学 论文 利用多光子非线性Compton散射模型，对Compton散射下介电系数关于等离子体光子晶体色散的影响进行了研究．提出了将Compton散射光作为影响介质层介电系数的新机制，给出了一维等离子体光子晶体色散关系式，并进行了数值模拟．结果表明：与散射前相比，介电系数εm=1时不出现禁带；当εm<3时，随εm增大，第一级禁带宽度先缓慢增大再达到最大值，最后缓慢减小，第二级禁带宽度先缓慢增大后趋于饱和值0．69，较散射前减小了0．03，两级禁带的εm临界值为5．4，较散射前减小了0．6，当εm<5．4时，第一级禁带