文件名称：InGaAs/InGaAsP量子阱激光器材料带隙蓝移研究 (2001年)
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更新时间：2024-06-12 11:21:25
自然科学 论文
为了在光开关器件的制作中实现低传输损耗的光波导X InGaAs/InGaAsP分别限制异质结多量子阱(SCH-MQW )激光器结构进行了一系列带隙蓝移实验。将能量1-2MeV,注量1-5X1013cm-2的P+注人到实验样品后,在700℃下快速热退火90 s.发现光致发光谱的峰值位置发生蓝移9-89nm蓝移量随着注人能量和注量的增大而增大,并且能量比注量对蓝移的影响更大。