文件名称：基于SiGe BiCMOS工艺的5 GHz低噪声放大器的设计 (2013年)
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更新时间：2024-05-28 01:44:54
自然科学 论文
基于0．18μm SiGe BiCMOS工艺，设计了一款应用于WLAN 802．1 1频段的低噪声放大器(LNA)．采用了共射级的两级级联结构，发射极运用电感负反馈，有效地提高了增益和线性度．仿真结果表明，在5～6 GHz工作频段内，小信号增益S21达20．5 dB，噪声系数NF低于2 dB，正向传输系数S11小于-19 dB和反向传输系数S22小于-18 dB，实现了较好的输入输出匹配．