铝基APCVD沉积SiOx膜层的光学性能研究 (2005年)

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文件名称：铝基APCVD沉积SiOx膜层的光学性能研究 (2005年)
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更新时间：2021-04-26 10:15:31
工程技术 论文 采用低温常压化学气相沉积（APcVD）的方法在铝基底上制备硅氧化物陶瓷膜层。采用XPS、XRD、HRTEM、UV-VAS和NIRS等技术分析膜层的成分、结构组织和形貌特征，并测试了膜层的光学吸收性能。研究结果表明，SiOx中的硅氧原子比为1：1.60～1：1.75，硅氧化物陶瓷膜层大部分为非晶态组织，包含少量局部有序区域。SiOx陶瓷膜层沉积在铝基上后具有很高的紫外一可见光吸收率和较高的近红外光吸收率，产生机制是硅氧化物陶瓷膜层中氧空位存在局域电子态，电子吸收能量产生能级跃迁。