施耐德变频器IGBT烧毁原因分析

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文件名称：施耐德变频器IGBT烧毁原因分析

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文件格式：DOC

更新时间：2013-07-30 09:58:38

IGBT

1.过电流损坏 锁定效应．IGBT为复合器件,其内部有寄生晶闸管,在规定漏极电流范围内,NPN的正偏压不足以使NPN晶体管导通,漏极电流大到一定程度,这个正偏压足以使NPN晶体管导通,近而使NPN或PNP晶体管处于饱和状态,于是寄生晶闸管开通,栅极失去控制,发生锁定效应后,集电极电流太大,造成太高功耗使IGBT损坏．