文件名称：Cu对Fe:In2O3稀磁半导体结构和磁性能的影响 (2009年)
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更新时间：2024-06-05 21:45:09
自然科学 论文
采用高温固相反应法制备出稀释磁性半导体(In0 .9 - xFe0 .1Cux)2O3( x=0～0 .03)。分别用 XRD和 VSM对样品的结构和性能进行了表征。研究表明 :样品在 0≤x≤0 .01时,均为单相结构且晶格常数随 Cu的含量 x的增大而减小;而 x>0 .01后,出现杂质相且晶格常数随 Cu的含量 x的增大而增大。在无 Cu掺杂和高掺杂时样品均表现为室温顺磁性,而Cu适量掺杂的样品在室温下具有铁磁性,研究表明室温铁磁性与载流子浓度、3d原子浓度密切相关。