文件名称：深亚微米电路NMOS 器件HCI 退化建模与仿真 (2006年)
文件大小：187KB
文件格式：PDF
更新时间：2024-06-11 16:35:48
自然科学 论文
提出一种深亚微米NMOSFET 的热载流子注入下漏电流退化模型及其电路退化仿真方法。该模型将亚阈区、线性区和饱和区的漏电流退化行为统一到一个连续表达式中，避免了分别描述时由于模型不连续而导致的仿真不收敛问题。并且在模型中对亚阈区的栅偏依赖现象进行建模，提高了模型描述器件退化的准确度。用基于0.25μm工艺的NMOS 器件对模型进行了验证，测试数据与仿真结果吻合得很好。