文件名称：平面型共振隧穿二极管和其组成MOBILE (2006年)
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更新时间：2024-06-07 07:43:15
自然科学 论文
为了解决传统台面型共振隧穿二极管制作过程中横向钻蚀问题，提出了一种采用离子注入法在N+GaAs衬底上制作平面型共振隧穿二极管，通过离子注入对器件之间进行隔离，取代了台面制作工艺中的通过湿法腐蚀隔离器件的目的。研究了它的I-V特性，测得的峰谷电流比为3.4。研究了由平面型共振隧穿二极管构成的单双稳态逻辑单元，实现了作为反相器的功能。