文件名称：C-SiC薄膜抗辐照性能的研究* (1995年)
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更新时间：2024-05-14 08:43:46
自然科学 论文
在室温下分别采用射频磁控溅射和离子束辅助沉积技术沉积C-SiC薄膜。并进行了相同注量和相同能量的Hc+辐照试验．分析结果表明：两种不同方式制备的C-SiC薄膜经 He+辐照后显示了不同的形貌特征，薄膜中Si组分的含量也有不同．我们对此进行了讨论，还进行了相应的Si、C的化学态分析．
C-SiC薄膜抗辐照性能的研究* (1995年)
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