文件名称：0.35μm CMOS工艺实现的1.9GHz上变频器 (2001年)
文件大小：63KB
文件格式：PDF
更新时间：2024-06-09 02:45:08
自然科学 论文
分析了利用深亚微米CMOS工艺进行射频集成电路设计的方法，在此基础上设计出了采用标准0.35μm CMOS工艺的输出频率在1.9 GHz的上变频器，它可以用在WCDMA发射/接收机中。整个设计利用SPICE软件和HP ADS软件进行电路和系统模拟，模拟结果：三阶互调IIP3为10dBm，转换增益大于10dB。已经利用Cadence工具进行版图设计和验证，最后通过美国MOSIS工程流片。芯片面积大约为0.6mm2。目前初步的性能测试已经完成。芯片混频效果良好。在单电源+3.3V供电情况下，功耗小于60mW。