与ONO反熔丝FPGA匹配的高压器件设计 (2012年)

时间:2024-06-20 01:26:43
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文件名称:与ONO反熔丝FPGA匹配的高压器件设计 (2012年)

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更新时间:2024-06-20 01:26:43

自然科学 论文

描述了一种与ONO反熔丝现场可编程门阵列(FPGA)匹配的高压nMOSFET的设计.该器件采用中国电子科技集团公司第五十八研究所晶圆的1.0μm2P2M ONO反熔丝工艺生产实现.该工艺中,通过一次离子注入和高温推进实现了深结HVNwell;通过将高压注入与栅极多晶保持0.2μm的间距解决了增加结深、提高速度与降低穿通击穿电压的矛盾;通过一次离子注入实现了高压nMOSFET阈值电压的调整.测试结果表明:高压nMOSFET的击穿电压达到21~23 V,远大于ONO反熔丝13.5 V的编程电压;饱和电流为4.


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