PDP选址驱动芯片高压管设计 (2003年)

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文件名称：PDP选址驱动芯片高压管设计 (2003年)

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更新时间：2024-06-13 05:35:08

自然科学 论文

PDP选址驱动芯片实现低压控制高压输出，其中高压管的设计是关键，文中提出了能与低压CMOS工艺相兼容的高压管HV-CMOS结构及其中的高低压转换电路，采用TSUPREM-4与MEDICI软件对其击穿特性进行了相应的模拟分析；通过对已流水的芯片中的高压管进行分析验证看出该结构击穿电压大于80V，工作电流大于40mA。