文件名称：纳米SnO2／TiO2半导体薄膜电极的制备及其光电响应性能 (2004年)
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更新时间：2024-06-09 20:20:49
工程技术 论文
采用化学沉积和电镀的方法在ITO导电玻璃表面制备SnO2／TiO2纳米半导体薄膜电极，用SEM，XRD进行了物性表征，并用光电流-时间曲线、循环伏安法研究了薄膜电极光电流响应随时间、电压的变化情况。研究结果表明，SnO2的掺杂有助于TiO2薄膜表面产生的气孔孔径增大，数量变多。此法可制备具有多孔、粒径小于100nm的纳米SnO2／TiO2半导体薄膜电极。与纯纳米TiO2薄膜电极相比，在光照条件下SnO2的掺杂使得复合薄膜电极在阳极峰电位下的阳极峰电流的响应程度明显大于纯纳米TiO2薄膜电极响应程度，有利于