GaAlAs/GaAs单量子阱列阵半导体激光器 (2001年)

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文件名称：GaAlAs/GaAs单量子阱列阵半导体激光器 (2001年)

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更新时间：2024-05-15 00:34:27

工程技术 论文

分析了影响列阵半导体激光器输出功率的因素。利用分子束外延生长方法生长出 GaAlAs/GaAs梯度折射率分别限制单量子阱材料(CRIN-SCH-SQW)。利用该材料制作出的列阵半导体激光器室温连续输出功率可达10 w，峰值波长为806～809 nm。