四管与六管SRAMSNM数据对比.pdf

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文件名称：四管与六管SRAMSNM数据对比.pdf

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更新时间：2022-08-12 09:12:35

嵌入式系统

：采用基于物理的 指数MOS FET模型与低功耗传输域 MOSF ET模型，推导了新的超深亚微米无负载四 管与六管SRAM存储单元静态噪声容限的解析模型．对比分析了由沟道掺杂原子本征涨落引起的相邻 MOS FET 的阈值电压失配对无负载四管和六管SRAM单元静态噪声容限的影响。