文件名称：CMOS微环境pH传感芯片研究 (2006年)
文件大小：1.51MB
文件格式：PDF
更新时间：2024-06-04 09:15:57
工程技术 论文
基于离子敏感场效应晶体管（ISFET）基本结构及其电学特性，提出了一种应用标准CMOS工艺实现的多层浮栅结构pH-ISFET。利用CMOS标准工艺中LPCVD淀积的Si3N4钝化层作为氢离子敏感层，pad工艺形成微区域独立传感窗口。片上集成100μm×100μm电极提供参考电位，消除了外加参考电位引起的溶液电压分布不均的现象。缓冲液从pH值1-13范围内对ISFET进行了测量，器件阈值电压随溶液pH值变化的平均灵敏度为44mV/pH，线性度在10%范围内。本结构可用于生物微环境pH值集成传感芯片设计中。