文件名称：P / E循环对NOR闪存单元读取电流波动的影响：基于低频噪声分析的微观视角
文件大小：1.35MB
文件格式：PDF
更新时间：2024-05-30 18:43:15
研究论文
程序/擦除（P / E）循环对研究了65nm NOR闪存的读取电流波动详细。 随机电报噪声（RTN）和1 / f噪声分析用于表征过程诱导陷阱（PIT）和浮动隧道氧化物中的应力诱导陷阱（SIT） 门存储单元。 RTN陷阱与分析不同P / E周期后的读取电流波动从微观的角度来看。 实验结果表明可以检测到RTN和1 / f噪声之间的明显过渡在循环的初始阶段（<100个循环），具体取决于栅极偏置电压（Vg）。 随着循环次数的增加， 过渡现象消失，1 / f噪声占主导地位。 这在编程和擦除状态下都可以检测到这种现象， 并且由PIT和SIT的光谱分析来解释。