文件名称：表面态对AlGaN/GaN异质结构2DEG影响的模拟分析 (2014年)
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更新时间：2024-06-04 05:59:26
自然科学 论文
利用模拟软件研究施主表面态特性与AlGaN/GaN异质结构中二维电子气（2 dimensional electron gas, 2DEG）形成之间的关系，分析施主表面态电离过程以及表面态能级位置、表面态密度的影响。结果表明：施主表面态为2DEG的电子来源；A1GaN能带分布及2DEG密度随AlGaN厚度、施主表面态能级位置、施主表面态密度的改变而改变。