如何优化宽禁带材料器件的半桥和门驱动器设计

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文件名称：如何优化宽禁带材料器件的半桥和门驱动器设计
文件大小：604KB
文件格式：PDF
更新时间：2021-07-07 03:16:32
SiCGaN半桥电路 现代宽禁带功率器件（SiC，GaN）上的开关晶体管速度越来越快，使得测量和表征成为相当大的挑战，在某些情况下几乎不可能实现。隔离探测技术的出现改变了这种局面，通过这一技术，设计人员终于能够放心地测量以前回避的半桥和门驱动器波形。通过详细了解相关挑战，并使用适当的探测技术，电源工程师可以更加迅速、高效地表征和优化其设计。半桥电路（图1）广泛用于功率电子领域的多种应用，是现代设计中有效转换电能使用的基本电路。但是，只有在半桥、门驱动器和布线正确且优化设计时，这种电路的优势才能得到实现。在测量结果与预期结果不一致时，可能很难提取与被测器件有关的有意义的细节。更糟糕的是，基于探头位置和其他因素，波形可能会明显变化，最终会让设计人员得不偿失。