文件名称:MOS-FET与电子管OTL功放的制作
文件大小:183KB
文件格式:PDF
更新时间:2024-07-20 08:59:39
MOSFET
由日本山崎浩氏撰写的H0S—FET OTL功放,电路简洁,性能卓越,频响宽阔,其音色可与4HB5电子管OTL功放相媲美。
文件名称:MOS-FET与电子管OTL功放的制作
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MOSFET
由日本山崎浩氏撰写的H0S—FET OTL功放,电路简洁,性能卓越,频响宽阔,其音色可与4HB5电子管OTL功放相媲美。