论文研究- SAM型GaN基雪崩光电二极管研究进展 .pdf

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文件名称：论文研究- SAM型GaN基雪崩光电二极管研究进展 .pdf

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更新时间：2022-09-08 10:34:17

半导体光电二极管

SAM型GaN基雪崩光电二极管研究进展 ，陶睿杰，陈俊，由于GaN材料具有高禁带宽，抗辐射能力强，光响应度高的特点，近年来GaN基雪崩光电二极管（APDs）的发展日益迅速。首先对GaN材料的雪��