深亚微米大容量PROM芯片ESD保护技术 (2014年)

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文件名称：深亚微米大容量PROM芯片ESD保护技术 (2014年)

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更新时间：2024-06-04 01:21:47

工程技术 论文

从全芯片角度出发，采用多电源ESD架构和全芯片ESD设计，对整颗芯片提供全方位的ESD保护，介绍了基于0．18 μm CMOS工艺设计的大容量PROM芯片的ESD设计技术。同时，通过对高压编程引脚的ESD加固设计，提高了芯片的整体抗ESD能力。最终产品ESD测试满足项目要求。