质子对超辐射发光二极管的辐射损伤研究 (2011年)

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文件名称：质子对超辐射发光二极管的辐射损伤研究 (2011年)

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更新时间：2024-05-17 09:51:45

工程技术 论文

介绍了空间辐射环境，利用SRIM程序来模拟计算10 MeV氦离子在GaAs材料中的入射深度与非电离能损（NIEL）的关系，分析了不同能量质子在不同材料中的入射深度及不同能量质子对超辐射发光二极管的辐射损伤对比，计算结果证明了利用SRIM软件模拟不同能量质子对超辐射发光二极管辐射损伤的可能性。