文件名称：国产空间实用太阳电池抗质子辐射性能研究 (2001年)
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更新时间：2024-06-13 21:57:34
自然科学 论文
研究了国产卫星用背场Si太阳电池和GaAs/Ge太阳电池性能随质子辐照注量1X109-5 X 1013 cm-2的变化。实验表明,2种太阳电池的电性能随辐照注量增加有不同的衰降趋势。背场 Si太阳电池性能参数短路电流Isc和最大输出功率Pmax衰降变化快,辐照注量为2 X 1010 cm-2时,Pmax就已衰降为原值的75％;而GaAs/Ge太阳电池对应相同的衰降辐照注量达8 X 1011 cm-2,且 Isc和Pmax衰降变化起初缓慢,当辐照注量接近3 X 1012 cm-2时才迅速下降。背场Si太阳电