论文研究-SOI线性掺杂LDMOS的设计与实验 .pdf 时间:2022-09-04 04:46:29 【文件属性】: 文件名称:论文研究-SOI线性掺杂LDMOS的设计与实验 .pdf 文件大小:315KB 文件格式:PDF 更新时间:2022-09-04 04:46:29 SOI SOI线性掺杂LDMOS的设计与实验,顾志华,荣国光,SOI LDMOS是通过将电压降转嫁到漂移区上来实现耐高压的。在实际工程应用中,我们考虑的是如何用最简单的工艺流程,得到尽可能高的击 立即下载