论文研究-SOI线性掺杂LDMOS的设计与实验 .pdf

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更新时间：2022-09-04 04:46:29

SOI

SOI线性掺杂LDMOS的设计与实验，顾志华，荣国光，SOI LDMOS是通过将电压降转嫁到漂移区上来实现耐高压的。在实际工程应用中，我们考虑的是如何用最简单的工艺流程，得到尽可能高的击