文件名称：论文研究-Control Action of Temperature on ULSI Silicon Substrate CMP Removal Rate and Kinetics Process.pdf
文件大小：154KB
文件格式：PDF
更新时间：2022-09-06 09:19:45
Chemical mechanical polishing
温度对ULSI硅衬底化学机械抛光去除速率及动力学的控制研究，刘玉岭，牛新环，本文对材料表面化学机械高精密加工的动力学过程及控制过程进行了深入的研究。根据大量实验总结出了CMP的七个动力学过程，在ULSI衬��