CH2 MOS 器件基础物理

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文件名称：CH2 MOS 器件基础物理

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文件格式：PDF

更新时间：2023-08-28 06:00:26

模拟设计 模拟集成电路 Analog CMOS

1. MOS结构 2. MOS的I/V特性 2.1MOS的阈值电压Vth、 2.2 I/V特性的推导 3.二阶效应 3.1体效应 、 3.2 亚阈值效应、 3.3 沟道调制效应 4. 小信号模型 5.MOS器件电容