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文件名称：论文研究-40纳米栅刻蚀关键尺寸Loading的优化与研究 .pdf
文件大小：758KB
文件格式：PDF
更新时间：2022-09-16 07:18:40
等离子体刻蚀
40纳米栅刻蚀关键尺寸Loading的优化与研究，李全波，程秀兰，栅关键尺寸负载效应（CD Loading)通常用密集区（Dense）和孤立区（Isolation）之间的差值来表示，其值越接近于零，loading越小，一般更有利�