基于噪声抵消的有源匹配SiGe HBT低噪声放大器设计 (2012年)

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文件名称：基于噪声抵消的有源匹配SiGe HBT低噪声放大器设计 (2012年)
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更新时间：2021-05-14 10:46:58
工程技术 论文 基于Jazz 0.35μm SiGe工艺，设计了一种满足2G、3G和WIMAX标准的有源匹配SiGe HBT低噪声放大器．利用共基极晶体管输入阻抗小和共集电极晶体管输出阻抗较小的特点，通过选取晶体管的结构和偏置电流，实现了输入、输出有源阻抗匹配．由于未采用占芯片面积大的电感，减少了芯片面积，芯片面积(含焊盘)仅为0.33 mm×0.31 mm；由于共基极晶体管的噪声系数比共射极晶体管的噪声系数高，采用噪声抵消结构减少了其引入噪声．低噪声放大器在(0.6～3)GHz工作频带内，增益为17.8～19.2 dB