铁氰化钴/树状高分子修饰电极免标记法检测基因突变 (2009年)

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文件名称：铁氰化钴/树状高分子修饰电极免标记法检测基因突变 (2009年)
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更新时间：2021-05-24 06:11:48
自然科学 论文 利用铁氰化钴/树状高分子(CoHCF/PAMAM)复合材料修饰玻碳电极(GCE),制备了免标记检测基因突变的新型DNA电化学传感器。传感器中树状高分子层明显增加了单链DNA探针的固定量,铁氰化钴层增大了鸟嘌呤的氧化信号,该传感器可以灵敏识别单碱基错配的基因序列,具有良好的选择性和灵敏度。在7.6×10-11～3.05×10-8mol/L浓度范围内,鸟嘌呤(G)的氧化峰电流差值与突变基因浓度呈良好的线性关系,检出限为1.0×10-11mol/L(S/N=3)。