文件名称：使用密度泛函理论计算 SiOC 的电子特性
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更新时间：2024-07-19 12:31:53
学术 论文
使用密度泛函理论计算 SiOC 的电子特性短期讲座使用密度泛函理论计算 SiOC 的电子特性 M. Petersen Accelrys, Inc. 9685 Scranton Road, San Diego, CA 92121 作为具有异常低介电常数的材料，CASTEP SiOC 在半导体技术中绝缘层的制造中发挥着重要作用。 这种材料的一个决定性缺点是它的高脆性。 由于对这种材料的结构特性知之甚少，因此我们在 CASTEP 程序 [1] 的帮助下在平面波基础上进行密度泛函计算。 我们表明介电常数的电子贡献与结构参数密切相关。 此外，还讨论了对 C 存储位置、C 浓度和单个 C 杂质相互作用的依赖性。 [1] Accelrys Inc., Materials Studio CASTEP, San Diego: Accelrys Inc., 2001, V. Milman, B. Winkler, JA White, CJ Pickard MC Payne, EV Akhmatskaya, RH Nobes, Int. J. Quant。 化学 2000, 77, 895, 2146 Z.