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文件名称：使用密度泛函理论计算 SiOC 的电子特性
文件大小：38KB
文件格式：PDF
更新时间：2021-06-29 18:45:13
学术 论文
使用密度泛函理论计算
SiOC
的电子特性短期讲座使用密度泛函理论计算
SiOC
的电子特性
M.
Petersen
Accelrys,
Inc.
9685
Scranton
Road,
San
Diego,
CA
92121
作为具有异常低介电常数的材料，CASTEP
SiOC
在半导体技术中绝缘层的制造中发挥着重要作用。
这种材料的一个决定性缺点是它的高脆性。
由于对这种材料的结构特性知之甚少，因此我们在
CASTEP
程序
[1]
的帮助下在平面波基础上进行密度泛函计算。
我们表明介电常数的电子贡献与结构参数密切相关。
此外，还讨论了对
C
存储位置、C
浓度和单个
C
杂质相互作用的依赖性。
[1]
Accelrys
Inc.,
Materials
Studio
CASTEP,
San
Diego:
Accelrys
Inc.,
2001,
V.
Milman,
B.
Winkler,
JA
White,
CJ
Pickard
MC
Payne,
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Akhmatskaya,
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Nobes,
Int.
J.
Quant。
化学
2000,
77,
895,
2146
Z.