有源层厚度对酞菁铜薄膜晶体管电学性能的影响 (2012年)

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文件名称：有源层厚度对酞菁铜薄膜晶体管电学性能的影响 (2012年)

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更新时间：2024-06-10 18:33:47

自然科学 论文

制备了顶接触的薄膜晶体管,实验中采用二氧化硅作为绝缘层,然后再依次真空蒸镀酞 菁铜( CuPc)作为晶体管器件的有源层,金作为源漏电极。不同CuPc有机薄膜的厚度分别为15 nm、40 nm和80 nm,制作成三种薄膜晶体管器件。实验证明,当有源层厚度为40 nm时,能够 获得最大的饱和电流和载流子迁移率。