文件名称：论文研究-Optimal design of active region for high power 670 nm GaInP/AlGaInP laser diodes.pdf
文件大小：226KB
文件格式：PDF
更新时间：2022-09-09 12:01:30
optoelectronic
大功率670nm GaInP/AlGaInP激光器有源区结构优化，林楠，林涛，基于量子阱厚度和波导层厚度，对大功率670nm GaInP/AlGaInP氧化条形激光器进行了详细地模拟研究。根据实验结果得到了模拟参数背景损耗��