离子注入工艺各个参数

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文件名称：离子注入工艺各个参数
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更新时间：2015-01-03 13:45:57
离子注入工艺各个参数 本文以美国EA TON 公司的中束流注入机为例, 阐述了 IC 芯片生产过程中离子注入 工艺如何实现高质量注入; 标准注入参数的调整, 以及实现高速注入所应采取的各种手段, 尽量发 挥离子注入机的潜能, 使中束流注入机也可以注入大束流, 在生产上实现高速机动, 加快了工艺流