离子注入工艺各个参数

【文件属性】：

文件名称：离子注入工艺各个参数

文件大小：156KB

文件格式：PDF

更新时间：2015-01-03 13:45:57

离子注入工艺各个参数

本文以美国EA TON 公司的中束流注入机为例, 阐述了 IC 芯片生产过程中离子注入 工艺如何实现高质量注入; 标准注入参数的调整, 以及实现高速注入所应采取的各种手段, 尽量发 挥离子注入机的潜能, 使中束流注入机也可以注入大束流, 在生产上实现高速机动, 加快了工艺流