芯片测试的几个术语及解释.docx

【文件属性】：
文件名称：芯片测试的几个术语及解释.docx
文件大小：18KB
文件格式：DOCX
更新时间：2022-10-03 07:22:47
综合文档 CP是把坏的Die挑出来，可以减少封装和测试的成本。可以更直接的知道Wafer 的良率。FT是把坏的chip挑出来；检验封装的良率。 现在对于一般的wafer工艺，很多公司多把CP给省了；减少成本。 CP对整片Wafer的每个Die来测试 而FT则对封装好的Chip来测试。 CP Pass 才会去封装。然后FT，确保封装后也Pass。 WAT是Wafer Acceptance Test，对专门的测试图形（test key）的测试，通过电参数来监控各步工艺是否正常和稳定； CP是wafer level的chip probing，是整个wafer工艺，包括backgrinding和backmetal（if need），对一些基本器件参数的测试，如vt（阈值电压），Rdson（导通电阻），BVdss（源漏击穿电压），Igss（栅源漏电流），Idss（漏源漏电流）等，一般测试机台的电压和功率不会很高； FT是packaged chip level的Final Test，主要是对于这个（CP passed）IC或Device芯片应用方面的测试，有些甚至是待机测试； Pass FP还不够，还需要做process qual 和product qual CP 测试对Memory来说还有一个非常重要的作用，那就是通过MRA计算出chip level 的Repair address，通过Laser Repair将CP测试中的Repairable die 修补回来，这样保证了yield和reliability两方面的提升。 CP是对wafer进行测试，检查fab厂制造的工艺水平 FT是对package进行测试，检查封装厂制造的工艺水平