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文件名称：掺杂nc-Si:H薄膜中纳米硅晶粒的择优生长 (2003年)
文件大小：477KB
文件格式：PDF
更新时间：2021-05-21 21:36:29
自然科学 论文
发现 PECVD生长的系列掺杂氢化纳米硅(nc-Si :H)薄膜中纳米硅晶粒(nc-Si)有择优生长的趋势 。用Raman、XRD、AFM、HRTEM等方法研究其微观结构时发现 :掺磷的nc-Si :H薄膜XRD峰位的二倍衍射角约为33°。掺硼 nc-Si :H薄膜的XRD峰位的二倍衍射角约为47°。用*能密度与序参量的关系结合实验参数分析得到 :较高的衬底温度引起序参量改变,使掺磷nc-Si :H薄膜中 nc-Si的晶面择优生长 。适当的电场作用引起序参量改变,导致掺硼nc-Si :H薄膜在一定的*