掺杂硅纳米线的光电特性 (2004年)

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文件名称：掺杂硅纳米线的光电特性 (2004年)
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更新时间：2021-05-25 12:45:01
工程技术 论文 采用激光烧蚀法制备了磷掺杂硅纳米线和硼掺杂硅纳米链,并运用透射电子显微镜(TEM)、近边X射线吸收精细结构光谱(NEXAFS) x射线光电子能谱(XPS)及场发射(FE)测量等对其进行了研究。结果表明:硅纳米线包覆在二氧化硅层中及其核心由磷掺杂的晶体硅构成,磷不仅存在于硅纳米线的核心内,也存在于二氧化硅与硅核心的相界面上;硼掺杂硅纳米链的外部直径约为15 nm,由直径11 nm的晶核和2 nm的无定形氧化物外层构成的晶格所组成,其粒间距为4 nm,硅纳米粒子链的阀值场强为6 V / μm,优于未掺杂的硅纳