SOI基上制备CuO纳米线* (2014年)

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文件名称：SOI基上制备CuO纳米线* (2014年)
文件大小：2.83MB
文件格式：PDF
更新时间：2021-05-18 08:40:40
工程技术 论文 在SOI基上制备光电纳米器件具有良好的光电集成应用前景，通过铜膜生长法在SOI基上制备了形貌为类针状的Cu(OH)2前驱体纳米线，并采用热处理法600℃条件下成功制备了CuO纳米线。通过扫描电镜(SEM)、透射电镜(TEM)、X射线衍射测试(XRD)对样品结构、形貌进行了表征。SEM、TEM测试结果表明，Cu(OH)，前驱体纳米线结构一致，尺寸均匀，表面光滑。在Cu (OH)2前驱体纳米线上二次生长的CuO纳米线具有类蒲草状细长光滑的结构，CuO纳米线直径约为80～100 nm，长度约为10 /Lm，Cu