文件名称：论文研究-Super junction结构4H-SiC同质外延生长和肖特基器件制备 .pdf
文件大小：786KB
文件格式：PDF
更新时间：2022-09-12 11:30:00
4H-SiC
Super junction结构4H-SiC同质外延生长和肖特基器件制备 ，宋庆文，张玉明，基于水平式低压热壁化学气相沉积（Chemical Vapor Deposition- CVD）生长系统，采用Al离子注入后进行二次外延生长的方法，成功的在N型4H-SiC ��
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