文件名称：论文研究-Effect of Post Thermal Annealing on the Optical Properties of InP/ZnS Quantum Dots Films.pdf
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文件格式：PDF
更新时间：2022-09-03 11:29:33
InP/ZnS QDs film
退火对InP / ZnS量子点薄膜光学性质的影响，张博文，魏志鹏，本文通过热退火技术提高了InP/ZnS核壳量子点薄膜光学性能。在180℃下退火5分钟后，量子点薄膜的发光增强。通过变温和变激发光致发光(