论文研究-AlGaN/AlN/GaN HFETs 中极化库仑场散射的影响因素 .pdf

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更新时间：2022-09-05 17:33:33
AlGaN/AlN/GaN HFETs AlGaN/AlN/GaN HFETs 中极化库仑场散射的影响因素，刘艳，林兆军， 本文通过室温下测试得到的AlGaN/AlN/GaN HFETs的电流电压特性和电容电压特性，同时结合薛定谔方程与泊松方程自洽求解，研究了极化库仑�