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文件名称：超深亚微米下百万门级系统级芯片的物理设计方案
文件大小：396KB
文件格式：PDF
更新时间：2017-01-22 08:11:59
超深亚微米 物理设计
超深亚微米下SoC 芯片的物理设计面临很多挑战性的难题,如果仅使用传统芯片设计流程,耗时长且难以达到设计收敛,必须探索新的设计方法学来加速设计进程. 以一块0. 18 μm 工艺下200 万门的无线数据传输芯片为例,应对超深亚微米下新的设计挑战,论述了在布局规划、电压降、信号完整性、可制造性设计等方面的解决方案,提出了设计方法学上的改进,提高了后端设计的效率和质量.