文件名称：matlab蔡氏混沌电路仿真代码-Memristor-Simulation-via-MATLAB:忆阻器仿真通过MATLAB
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更新时间：2024-06-23 18:02:59
系统开源
matlab蔡氏混泥土仿真代码使用 MATLAB 仿真忆阻器 在这个 repo 中，我使用这里提供的数学方程模拟了称为“忆阻器”的第四个基本电路元件的效果。 介绍 1971 年，Leon Chua 假设了第四个基本电路组件，同时试图在电荷和磁通量之间建立缺失的本构关系以完成对称性。 Chua 将这种推测性非线性小工具命名为忆阻器（存储器 + 电阻器），因为它显示了当时铁磁中心存储器的磁滞特性以及电阻器的耗散特性。 简单地说，在这样的小工具中，非线性电阻可以通过控制电荷流或磁通量来不确定地记住。 建议忆阻器具有忆阻 M 和定义为 dM=Mdq 的函数。 忆阻 忆阻是忆阻器的特性。 如果电荷沿一个方向流过电路，则电路中该元件的电阻会增加，如果电荷沿相反方向流动，则电阻会减小。 如果通过关闭施加的电压来停止电荷流动，该组件将“记住”它上一次的电阻，当电荷再次开始流动时，电路的电阻将是上次时的电阻积极的。 忆阻器的模式 忆阻器以线性和非线性两种模式运行。 你可以得到详细信息我还写了一些关于忆阻器的基本论文 线性模式 非线性模式
【文件预览】：
Memristor-Simulation-via-MATLAB-master
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----docs()
--------ExtLinear Drift Mem.pdf(3.66MB)
--------ProfPaper Memristor.pdf(2MB)
--------Math Model of MemR.pdf(3.35MB)
--------memristoroverview ppt.pdf(2.9MB)
--------Memristor Simulation.pdf(774KB)
--------Memristor in Matlab.pdf(350KB)
--------The missing memristor found _ Nature.pdf(662KB)
--------Prof2 Mem Res.pdf(1.65MB)
--------FINAL+GEORGIOS+K+GEORGAS+MM276+2019.pdf(8.12MB)
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