文件名称：二次烧结对KNN-LS-Bi(Mg0.5Ti0.5)O3无铅压电陶瓷性能的影响 (2012年)
文件大小：588KB
文件格式：PDF
更新时间：2024-06-10 10:36:37
工程技术 论文
采用传统固相烧结法和二次烧结工艺制备了xBi（Mg0.5Ti0.5）O3-0.95K0.5Na0.5NbO3-0.05LiSbO3（xBMT-KNN-LS）无铅压电陶瓷，研究了二次烧结工艺对xBMT-KNN-LS陶瓷性能的影响。结果表明：采用传统的陶瓷烧结工艺所得到的性能为压电常数d33=220 pC/N、平面机电耦合系数kp=39.6%、介电损耗tanδ=6.38%。而采用二次陶瓷烧结工艺得到的最佳性能为d33=254 pC/N、kp=37.8%、tanδ=4.81%，因此，二次烧结对该体系的压电性能有