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文件名称：信号与系统期末复习试题.docx
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更新时间：2021-05-10 04:19:03
信号与系统期末复习试题
1.在常温下,硅二极管的门槛电压约为_ 0.5_V，导通后在较大电
流下的正向压降约为_ 0.7_V ;锗二极管的门槛电压约为。0.1 _V ，
导通后在较大电流下的正向压降约为。0.2 _V 。
2、二极管的正向电阻 小_ ;反向电阻
大
3、二极管的最主要特性是__单向导电性_。PN结外加正向电
压时,扩散电流_大于_ 漂移电流， 耗尽层_
变窄
4、二极管最主要的电特性是__ 单向导电性, 稳压二极管在
使用时, 稳压二极管与负载并联,稳压二极管与输入电源之间必
须加入一个_
电阻
5、电子技术分为模拟电子技术和数字电子技术两大部分，其中
研究在平滑、连续变化的电压或电流信号下工作的电子电路及其
技术，称为_
模拟
电子技术。
6、PN结反向偏置时.PN结的内电场_
增强。PN 具有__具
有单向导电
特性。
7、硅二极管导通后,其管压降是恒定的,且不随电流而改变，
典型值为__ 0.7_ 伏 ;其门坎电压V。约为__ 0.5
伏。
8、二极管正向偏置时,其正向导通电流由_ 多数载流子的_ 扩
散运动形成。
9 P型半导体的多子为
空穴.N型半导体的多子为
*电
子_、 本征半导体的载流子为_电子一空穴对
10、因掺入杂质性质不同，杂质半导体可为_ 空穴(P) 半导
体和
电子(N) 半导体两大类。