文件名称：信号与系统期末复习试题.docx
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更新时间：2024-05-29 22:05:43
信号与系统期末复习试题
1.在常温下,硅二极管的门槛电压约为_ 0.5_V，导通后在较大电 流下的正向压降约为_ 0.7_V ;锗二极管的门槛电压约为。0.1 _V ， 导通后在较大电流下的正向压降约为。0.2 _V 。 2、二极管的正向电阻 小_ ;反向电阻 大 3、二极管的最主要特性是__单向导电性_。PN结外加正向电 压时,扩散电流_大于_ 漂移电流， 耗尽层_ 变窄 4、二极管最主要的电特性是__ 单向导电性, 稳压二极管在 使用时, 稳压二极管与负载并联,稳压二极管与输入电源之间必 须加入一个_ 电阻 5、电子技术分为模拟电子技术和数字电子技术两大部分，其中 研究在平滑、连续变化的电压或电流信号下工作的电子电路及其 技术，称为_ 模拟 电子技术。 6、PN结反向偏置时.PN结的内电场_ 增强。PN 具有__具 有单向导电 特性。 7、硅二极管导通后,其管压降是恒定的,且不随电流而改变， 典型值为__ 0.7_ 伏 ;其门坎电压V。约为__ 0.5 伏。 8、二极管正向偏置时,其正向导通电流由_ 多数载流子的_ 扩 散运动形成。 9 P型半导体的多子为 空穴.N型半导体的多子为 *电 子_、 本征半导体的载流子为_电子一空穴对 10、因掺入杂质性质不同，杂质半导体可为_ 空穴(P) 半导 体和 电子(N) 半导体两大类。