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chapter one
* SDRAM 3.3V DDR2 1.8V 电压越低充放电特性越快
* RAS_N 行地址选通 CAS_N 列地址选通
* DQM[1:0] 数据掩码 DQM[1] = 1代表 高八位输出高阻态 DQM[0] = 1 低八位输出高阻态
* 读写顺序
1、active（打开行地址）
2、A0 ~ A12 （行地址）
3、BA0 ~ BA1 （BANK地址）
4、A0 ~ A8 （列地址）
* precharge : 关闭一个或者多个行（防止丢失数据）
* 刷新/自动刷新 -----电容自放电特性，为了防止数据丢失
* A0 ~ A12
1、行地址线
2、列地址线
3、模式寄存器
* Burst length ： 突发长度 由模式寄存器设定的值确定
* 页读写 ： 把一行里面的所有数据全部读出来
* 注意 ： Type = Sequential 和 Type = Interleaved 的区别
* CAS latency(CL潜伏期) : 从读命令（写没有潜伏期）开始 到 第一个有效的数据的时间间隔（2 ~ 3 个时钟）
* A10 ：是否写、读操作之后立即进行预充电（每次读写Bank 只能打开一行、一列），所以要提前关闭行地址
* trp ：进行预充电，只有等待 trp 时间 Bank 才可以被重新操作
* 自动刷新 ： 在一定的时间内给sdram 命令 ，sdram 会自动一行接着一行的刷新（电荷在64ms内是稳定的，所以64ms之内必须全部刷新一遍）
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